发布时间：2026-05-24 14:49:00
【CNMO科技动静】据外媒动静，三星电子正于推进封装双轨化战略，规划年内完成温阳新工场设置装备摆设，来岁起正式引入装备。该工场将用在高带宽存储器（HBM）的进步前辈封装出产，以分离天安工场的产能压力，同时将温阳现有的通用DRAM封装产线迁至越南。
据半导体行业动静，三星电子于温阳厂区内新建的工场行将落成，该厂将部署基在硅通孔（TSV）技能的进步前辈封装出产线。HBM作为高附加值产物，需颠末DRAM前工序后，再经由过程TSV打孔、垂直重叠及热压接合等封装流程。今朝，三星电子于平泽工场完成DRAM前工序，天安工场卖力封装。
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跟着全世界HBM需求激增，三星电子正加快平泽4工场（P4）设置装备摆设，并规划在下半年启动平泽5工场（P5）一期工程。P4及P5的部门产线将用在出产第六代HBM4所需的1c纳米DRAM。为匹配平泽前工序扩产，三星电子需扩展TSV封装产能。业内子士指出，天安工场的C一、C二、C3产线已经满负荷运行，没法进一步扩充，而温阳工场拥有更年夜空间，是以选择于此扩建。
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三星电子规划将天安的部门进步前辈封装职员调至温阳，同时将温阳的通用DRAM封装职员迁至越南，以慢慢实现产物封装双轨化。该规划估计于5年内分阶段推进，今朝职员还没有现实转移。越南工场早期将调派年夜量韩国员工举行产线设置，后续慢慢增长本地员工比例。
三星电子本年HBM发卖额估计同比增加跨越三倍。此中，2月量产出货的HBM4将在下半年扩展供给，第三季度起占公司HBM总发卖额一半以上。本年HBM4定单已经全数售罄，公司规划将HBM产能较去年扩展约50%，以应答全世界需求。
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